可控硅器件能够以较小的版图面积获得较高ESD防护等级，因此，此类器件已在集成电路片上静电防护中占有一席之地。但是在深亚微米CMOS工艺中SCR器件仍然具有高的开启电压的缺点，触发电压一般高于20V，且高于输入级的栅氧化层击穿电压。随着工艺水平的不断进步，栅氧化层的厚度不断减小，击穿电压进一步降低，因此，避免内核电路薄栅氧化层器件长久损坏的必要措施是减小SCR器件开启电压提高开启速度。如图1所示为简单横向SCR器件剖面图，针对此结构降低触发电压的器件结构有MLSCR和LVTSCR；针对此结构提高开启速度的一般方法是采用辅助触发电路，例如，栅极耦合技术、热载流子触发技术、衬底触发技术、双触发技术等。本文介绍几种降低触发电压提高开启速度的方法。

 

图1 简单横向SCR器件剖面图

 

1、改进型SCR（Modified Lateral SCR，MLSCR）

 

如图2所示，MLSCR通过在N阱/P阱的结面上增加N+扩散区来降低此结的雪崩击穿电压。通过此法可将开启电压降低到12V，但还不足以保护输入级的薄栅氧化层，因此，MLSCR与LSCR一样需要与二级保护器件配合来实现输入级的静电保护。当然，由于其开启电压的降低，二级保护器件的版图面积可以减小。而对于输出级，由于两级ESD保护会给正常工作下的电路带来信号延时，LSCR和MLSCR一般不用于输出级的静电保护。

 

图2 MLSCR器件剖面图

 

2、低触发电压SCR（Low-Voltage Triggering SCR，LVTSCR）

 

如图3所示，LVTSCR通过在结构中嵌入一个NMOS将器件开启电压降低到约7V，与短沟NMOS的漏击穿电压或穿通电压相近。此器件可独立使用作为CMOS集成电路的输入级ESD保护，极大地减小了ESD保护电路的版图实现面积。而作为输出级保护时，需要在LVTSCR和输出级之间加入小的串联电阻以保证ESD保护的有效性。

 

图3 LVTSCR器件剖面图

 

3、栅极耦合的LVTSCR（Gate-Coupled LVTSCR）

 

如图4所示为互补型栅极耦合LVTSCR，此器件采用非雪崩击穿机制来开启。通过合理设置Cn和Cp的电容值，可以使耦合到栅上的电压在电路正常工作状态下小于内嵌NMOS/PMOS的阈值电压，而在ESD应力到来时大于内嵌NMOS/PMOS的阈值电压。LVTSCR的开启电压可以通过调整内嵌NMOS/PMOS栅极的耦合电压来设置。耦合电压越大，LVTSCR的开启电压越低，快速开启的LVTSCR可有效保护输入/输出级。

 

图4 栅极耦合的 LVTSCR器件结构

 

4、衬底触发SCR（Substrate-Triggered SCR，STSCR）

 

如图5所示为P型和N型衬底触发SCR器件，它们分别通过在传统LSCR器件中加入P+或N+扩散区作为触发节点。衬底触发SCR器件的开启机制属于电流触发事件。当电流被加在SCR器件的衬底，也即寄生三极管的基极时，SCR可以快速触发并进入闩锁状态。随着衬底触发电流的增大，开启电压下降、开启时间缩短。当然，此器件的应用需要外加RC侦测电路。

 

图5 衬底触发的SCR器件结构