晶闸管保护电路

晶闸管保护电路

晶闸管的保护电路，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而抑制过电压或过电流的数值。

一.

晶闸管的过流保护

晶闸管设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流晶闸管损坏,触发电路或控制系统有故障等; 其中整流桥晶闸管损坏类较为严重,一般是由于晶闸管因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力，它相当于整流桥臂发生长久性短路，使在另外两桥臂晶闸管导通时，无法正?；涣?，因而产生线间短路引起过电流.另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，这类情况时有发生，因为整流桥的负载实质是逆变桥,逆变电路换流失败，就相当于整流桥负载短路。另外，如整流变压器中心点接地，当逆变负载回路接触大地时，也会发生整流桥相对地短路。

对于**类过流，即整流桥内部原因引起的过流，以及逆变器负载回路接地时，可以采用**种保护措施，*常见的就是接入快速熔短器的方式。见图1?？焖偃鄱唐鞯慕尤敕绞焦灿腥郑涮氐愫涂焖偃鄱唐鞯亩疃ǖ缌骷?。

表1：快速熔短器的接入方式、特点和额定电流

方式	特点	额定电流I_RN	备注
A型	熔短器与每一个元件串联，能可靠地?；っ恳桓鲈?td width="109">I_RN<1.57I_T	I_T：晶闸管通态平均电流
B型	能在交流、直流和元件短路时起?；ぷ饔茫淇煽啃陨杂薪档?td width="109">I_RN<K_CI_D 系数K_C见表2	K_C：交流侧线电流与I_D之比 I_D：整流输出电流
C型	直流负载侧有故障时动作，元件内部短路时不能起?；ぷ饔?td width="109">I_RN<I_D	I_D：整流输出电流

表2：整流电路型式与系数KC的关系表

型式		单相全波	单相桥式	三相零式	三相桥式	六相零式六相曲折	双Y 带平衡电抗器
系数K_C	电感负载	0.707	1	0.577	0.816	0.108	0.289
系数K_C	电阻负载	0.785	1.11	0.578	0.818	0.409	0.290

对于**类过流，即整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，则应当采用电子电路进行?；?。常见的电子?；ぴ硗既缦?tr>

图2：过流?；ぴ硗?tr>

二.

晶闸管的过压?；?tr>

晶闸管设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。同时，设备自身运行中以及非正常运行中也有过电压出现。

过电压保护的**种方法是并接R-C阻容吸收回路，以及用压敏电阻或硒堆等非线性元件加以抑制。见图3和图4。

过电压?；さ?*种方法是采用电子电路进行?；?。常见的电子保护原理图如下：

三.

电流上升率、电压上升率的抑制?；?tr>

电流上升率di/dt的抑制

晶闸管初开通时电流集中在靠近门极的阴极表面较小的区域，局部电流密度很大，然后以0.1mm/μs的扩展速度将电流扩展到整个阴极面，若晶闸管开通时电流上升率di/dt过大，会导致PN结击穿，必须限制晶闸管的电流上升率使其在合适的范围内。其有效办法是在晶闸管的阳极回路串联入电感。如下图:

电压上升率dv/dt的抑制

加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大，由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流，该电流可以实际上起到触发电流的作用，使晶闸管正向阻断能力下降，严重时引起晶闸管误导通。

为抑制dv/dt的作用，可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路。如下图：

晶闸管?；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏肪д⒐鼙；さ缏?div id="k39rauc" class="datumrelate">上一篇：大量供应漏电?；て髯ㄓ每煽毓鐼CR100-8单向可控硅
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