1、三极管工作时，由于电流热效应，会消耗一定的功率，这就是耗散功率。耗散功率主要由集电极耗散功率组成：PT≈VceIc即PT≈PCM，下面分析开关三极管失效的几种情况：

　　1) 由于三极管的工作电流受温度的影响很大，因此当三极管工作时，耗散功率转化为热，使集电结结温升高，集电结结电流进一步加大，会造成恶性循环使三极管烧毁。这种情况叫热击穿。使三极管不发生热击穿的*高工作温度定义为*高结温。

　　2) 当三极管未达到*高结温时，或者未超过*大耗散功率时，由于材料的缺陷和工艺的不均匀性，以及结构原因造成的发射区电流加紧效应，使得三极管的工作电流分布不均匀。当电流分布集中在某一点时，该点的功耗增加，引起局部温度增高，温度的增高反过来又使得该处的电流进一步增大，从而形成“过热点”，其温度若超过金属电极与半导体的共熔点，造成三极管烧毁。另一方面，局部的温升和大电流密度会引起局部的雪崩(击穿)，此时的局部大电流能使三极管烧通，使击穿电压急剧降低，电流上升，*后导致三极管烧毁。这种情况就是所谓的二次击穿。

　　二次击穿是功率开关管失效的重要原因,三极管二次击穿的特性曲线如图6所示。为保证三极管正常工作，提出了**工作区SOA的概念。

　　SOA示意图如图案所示,它由集电极*大电流Icm线、击穿电压BVceo线、集电极*大耗散功率Pcm线和二次击穿功耗Psb线组成。由于使用时工作电流和*大电压的设计都不会超过三极管的额定值，因此，正常情况下，集电极耗散功率和二次击穿特性就是造成三极管失效烧毁的主要因素。

　　2、既然分析了开关三极管的失效主要因素，那么下面再讨论一下怎么减少失效。很明显降低三极管的失效重要的是要尽量降低三极管工作时的功率、改善二次击穿特性，这两者其实是相关的。由二次击穿的发生机理可知，温度上升，导致三极管HFE增大，开关性能变差，二次击穿特性变差(更容易发生二次击穿);温度的升高，也使得三极管的实际耗散功率参数变差，三极管的**工作区变小了。反过来，由于三极管的耗散功率主要和三极管的热阻有关，耗散功率小，实际上也就是其所能承受的电流电压低，散热性能差，同样也影响到了二次击穿特性。

　　因此，防止工作时三极管温升过高、提高三极管的耗散功率，是提高三极管质量的*有效办法。

　　1)热阻三极管工作中，当PN结温度超过允许*高结温时，三极管消耗的功率就是三极管的集电极*大耗散功率。由于一定材料的*高结温是一定的，因此，提高三极管的散热性能，就是提高三极管的耗散功率，同时，散热性能好，管子的温升就低，也降低了二次击穿的可能性，这是提高二次击穿特性的重要因素。热阻作为大功率管的一个重要参数，代表了三极管的散热能力。热阻与耗散功率的关系为：Pcm=(Tjm-Ta)/RT其中Tjm为*高结温，Ta为环境温度，RT为热阻?？杉?，当*高结温和环境温度一定时，耗散功率的大小取决于热阻的大小。在开关电源中作开关的三极管，应选用热阻尽可能低的管子。除了三极管芯片本身之外，后工序装配的材料、工艺和质量对热阻的影响也非常大。

2)开关参数三极管工作于饱和和截止状态，因此三极管的开关参数对其工作情况有重大的影响。三极管的开关参数有4个：延迟时间td、上升时间tr、储存时间ts和下降时间tf,如图8所示的开关波形图.管子由截止到饱和时，过渡时间受延迟时间和上升时间的影响，由饱和到截止时，过渡时间受存储时间和下降时间的影响。三极管在不同工作状态时消耗的功率为：

　　1. 截止时：P=Vce•Iceo饱和时：P=Vces•Ic由于三极管的反向漏电流Iceo和饱和压降Vces都很低，因此，饱和和截止时，三极管的消耗功率并不大，但在两种状态的转换过程中，三极管有一部分时间工作于放大区，此时的电流电压均较大，处于放大区的时间越长，从而消耗功率也越大，温度也就升高越多。影响三极管处于放大区的开关参数主要是上升时间和下降时间。因此，应选用上升时间和下降时间尽可能短的三极管。

　　3)高温漏电流在上面的说明中，我们知道三极管工作在截止状态时的功耗主要由反向漏电流Iceo决定。常温下，Iceo一般很小，因此，三极管的截止功率并不大，但当工作后温度升高后，Iceo变大，则其消耗功率也变大，直至影响到正常的工作。另一方面，反向漏电流的增大使得PN结击穿特性变软，也使三极管变得易于烧毁。因此，高温漏电流也是影响管子质量的重要参数。硅三极管的ce反向漏电为：

　　Iceo=(1+β)Icbo≈(1+β)Ae×Ni×XMG/2τ其随温度的变化主要与材料和工艺有关。

　　4)其它功率开关三极管的其他参数，也与其使用有关。hFE也是经常考虑的因素之一。