德国雷根斯堡大学、马尔堡大学和帕德博恩大学的科学家合作，利用一种新近投入使用的高压太赫磁辐射源，在万亿分之一秒的**时间内在半导体上制造了电压达到100亿伏/平方米的电磁场，并研究观察了电子振动现象。

    由于创纪录的强度和**的磁场运动控制，这个辐射源能够制造远红外区的超短脉冲。科学家的实验妙招是，将这种超短脉冲的摆动电磁场作为短暂的偏压。他们借助高速摄像机，发现振动的电子可以产生从微波到紫外光区域的电磁波。为了解释测量到的数据，科学家们开发了一个量子力学模型，这个模型可以反映半导体内的复杂过程，并确证试验获得的数据符合布洛赫振动的特征。

    有关研究结果揭示了量子世界新的一面，对未来半导体元件的开发具有重要意义。研究结果还表明，单光振动的瞬间产生的电流是可以被控制的。未来的电子学也将拓展到光学时钟速率水平。布洛赫振动产生的超短脉冲突破了远红外区域的记录，有望成为超短时物理研究的重要研究工具。有关结果发表在《自然光子学》杂志上。